一、驅(qū)動電路架構(gòu)
本MOS管驅(qū)動電機(jī)電路采用Totem輸出結(jié)構(gòu)，其中上拉驅(qū)動管組合包含NMOS管N4、晶體管Q1以及PMOS管P5，下拉驅(qū)動管則由NMOS管N5擔(dān)綱。電路中，CL表征負(fù)載電容，Cpar則為B點所關(guān)聯(lián)的寄生電容。值得注意的是，虛線框標(biāo)記的區(qū)域為自舉升壓電路模塊。
二、電路設(shè)計邏輯
高電平驅(qū)動原理：借助自舉升壓結(jié)構(gòu)巧妙抬升上拉驅(qū)動管N4的柵極（B點）電位，使其超越VDD+VTH，迫使NMOS管N4進(jìn)入線性工作區(qū)域，進(jìn)而顯著削減VDSN4。最終，驅(qū)動輸出高電平順利達(dá)到VDD標(biāo)準(zhǔn)。
低電平驅(qū)動優(yōu)勢：在輸出低電平時，下拉驅(qū)動管憑借自身特性即可工作在線性區(qū)，無需額外自舉電路輔助，便能確保輸出低電平穩(wěn)定在GND水準(zhǔn)，精準(zhǔn)達(dá)成設(shè)計既定目標(biāo)。
三、電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制策略
采用“雙繼電器+NMOS”驅(qū)動布局，選用SPDT（單刀雙擲）繼電器達(dá)成電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制。
（一）電機(jī)正轉(zhuǎn)控制
當(dāng)DO1處于低電平（0V）、DO2給出高電平（5V），同時PWM1端輸入約10V直流電壓（促使MOS管導(dǎo)通）時，繼電器K1被激活，其接點A2與A1接通；而繼電器K2保持靜止，接點B2依舊與B3連接。此時，電流從A1出發(fā)，經(jīng)由A2、負(fù)載電機(jī)端、B2、B3，最終經(jīng)MOS管的D-S通道流向GND，驅(qū)動電機(jī)正向旋轉(zhuǎn)。
（二）電機(jī)反轉(zhuǎn)控制
反之，若DO1變?yōu)楦唠娖剑?V）、DO2切換至低電平（0V），且PWM1端持續(xù)輸入約10V直流電壓（保障MOS管導(dǎo)通），繼電器K1不動作，接點A2與A3維持連接；繼電器K2則被觸發(fā)，接點B2與B1接通。電流流向隨即調(diào)整為從B1開始，經(jīng)B2、負(fù)載電機(jī)端、A2、A3，再通過MOS管的D-S通道匯入GND，實現(xiàn)電機(jī)反向運轉(zhuǎn)。
（三）電機(jī)停轉(zhuǎn)控制
當(dāng)DO1、DO2同時保持低電平（0V），且PWM1端輸入低電平0V（致使MOS管關(guān)斷），電機(jī)隨即停止轉(zhuǎn)動。此時，電機(jī)借助B2-B3-A3-A2回路釋放停轉(zhuǎn)瞬間感應(yīng)電流，以防感性負(fù)載引發(fā)異常。
（四）電機(jī)調(diào)速控制
若PWM1端輸入信號由固定直流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榉?0V、占空比在0-100%范圍可調(diào)的PWM脈沖，便可實現(xiàn)對電機(jī)轉(zhuǎn)速的精準(zhǔn)調(diào)節(jié)控制。
四、電路保護(hù)與器件選型要點
二極管保護(hù)功能：電路中D1、D2二極管在繼電器線圈斷電瞬間，為感應(yīng)電流提供泄放回路，避免線圈電壓突變對電路造成沖擊。
MOS管開通速度調(diào)節(jié)：MOS管G極串聯(lián)10R電阻，用于調(diào)控MOS管的開通速率，電阻值增大，開通速度相應(yīng)減緩；反之，電阻值減小，開通速度提升。同時，MOS管GS端的10K電阻確保G極未受驅(qū)動信號控制時，MOS管可靠截止，杜絕誤觸發(fā)風(fēng)險。
（一）繼電器選型準(zhǔn)則
繼電器選型需依據(jù)電機(jī)額定功率/容量來定。其接點電壓應(yīng)不低于電機(jī)額定電壓的1.2倍，接點電流需不小于電機(jī)額定電流的3倍，以充分保障繼電器在電機(jī)運行過程中的可靠切換。
（二）MOS管選型要點
MOS管的VDS選型需至少達(dá)到電機(jī)額定電壓的2倍，ID則至少要能承受電機(jī)額定電流的4-5倍。鑒于電機(jī)啟動瞬間電流可達(dá)額定電流的3倍左右，在滿足上述條件下，優(yōu)先選擇RDS較小的MOS管，這有助于降低管子發(fā)熱量，但需權(quán)衡發(fā)熱量與成本，做出綜合決策。
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