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mosfet屬于什么器件,mosfet原理作用介紹
2024-04-23
mosfet屬于什么器件,mosfet原理作用介紹MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor FET，
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mos管開啟條件,n溝道p溝道m(xù)os管開啟條件詳解
2024-04-23
mos管開啟條件,n溝道p溝道m(xù)os管開啟條件詳解MOS屬于電壓控制型器件，但是實(shí)際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過程中也是需要電流的，因?yàn)镸OS管各極
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nmos與pmos的區(qū)別,nmos pmos怎么區(qū)分
2024-04-20
nmos與pmos的區(qū)別,nmos pmos怎么區(qū)分MOS管根據(jù)導(dǎo)電性質(zhì)不同可分為NMOS和PMOS兩種。NMOS和PMOS的結(jié)構(gòu)相似，都是由n型和p型半導(dǎo)體夾雜著一層
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開關(guān)電源MOS的失效原因與預(yù)防措施詳解
2024-04-20
開關(guān)電源MOS的失效原因與預(yù)防措施詳解雪崩失效雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)
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三端穩(wěn)壓器怎么測量,三端穩(wěn)壓器測量好壞方法介紹
2024-04-20
三端穩(wěn)壓器怎么測量,三端穩(wěn)壓器測量好壞方法介紹三端穩(wěn)壓器的檢測方法1、測量引腳間的電阻值把指針式萬用表放至R×1k檔，將黑表筆接到
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數(shù)字集成電路是什么,數(shù)字集成電路介紹
2024-04-20
數(shù)字集成電路是什么,數(shù)字集成電路介紹數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路是基于數(shù)字邏輯（布爾代數(shù)）設(shè)計(jì)和運(yùn)行的，基于邏輯門搭建的，用于處理數(shù)字
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lvds電平詳解，lvds電平標(biāo)準(zhǔn)圖解
2024-04-20
lvds電平詳解，lvds電平標(biāo)準(zhǔn)圖解lvds電平LVDS ：低電壓差分信號(hào)（Low-Voltage Differential Signaling）是一種信號(hào)傳輸模式的電平標(biāo)準(zhǔn)，
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基于pwm的led調(diào)光控制,led亮度調(diào)節(jié)介紹
2024-04-20
基于pwm的led調(diào)光控制,led亮度調(diào)節(jié)介紹通過調(diào)節(jié)PWM一個(gè)周期內(nèi)的占空比來控制LED的亮度，通過改變一個(gè)周期中的高低電平所占比例，進(jìn)而控制LE
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電源管理簡介,電源管理系統(tǒng),電源管理芯片詳解
2024-04-20
電源管理簡介,電源管理系統(tǒng),電源管理芯片詳解電源管理是指如何將電源有效分配給系統(tǒng)的不同組件。對(duì)計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的電源進(jìn)行有效管理
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pwm電路,工作原理,pwm電路圖詳解
2024-04-19
pwm電路,工作原理,pwm電路圖詳解pwm電路工作原理PWM(Pulse Width Modulation)，即脈沖寬度調(diào)制。脈寬調(diào)制技術(shù)：通過控制半導(dǎo)體開關(guān)器件的
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lcr電橋,lcr電橋原理圖,lcr電橋測量方法介紹
2024-04-19
lcr電橋,lcr電橋原理圖,lcr電橋測量方法介紹lcr電橋，L是電感(Inductance), R是電阻（Resistance），C是電容（Capacitance）。LCR數(shù)字電橋
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可變?cè)鲆娣糯笃?可變?cè)鲆娣糯笃麟娐吩O(shè)計(jì)圖解
2024-04-19
可變?cè)鲆娣糯笃?可變?cè)鲆娣糯笃麟娐吩O(shè)計(jì)圖解可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)用于多種遠(yuǎn)程檢測和通信設(shè)備中，能夠?yàn)樾枰邉?dòng)態(tài)范圍的信號(hào)鏈提供出色的性