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深圳市烜芯微科技有限公司
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場效應(yīng)管放大電路的直流偏置電路介紹
2024-07-11
場效應(yīng)管放大電路的直流偏置電路介紹場效應(yīng)管偏置電路場效應(yīng)管偏置電路為了使放大電路正常地工作能把輸入信號不失真地加以放大，必須有一個(gè)
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場效應(yīng)管與三極管區(qū)別介紹
2024-07-10
場效應(yīng)管與三極管區(qū)別介紹場效應(yīng)管英文（Field Effect Transistor）縮寫為FET?？煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)，我
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p溝道m(xù)os管原理,開關(guān)電路介紹
2024-07-10
p溝道m(xù)os管原理,開關(guān)電路介紹P溝道MOS管開關(guān)電路上圖是兩種P溝道MOS管開關(guān)電路應(yīng)用：其中第一種NMOS管為高電平導(dǎo)通，低電平截?cái)?，Drain端接
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mos管電流電壓并聯(lián)應(yīng)用詳解
2024-07-10
mos管電流電壓并聯(lián)應(yīng)用詳解在穩(wěn)態(tài)條件下，并聯(lián)mosfet工作良好，共享電流，在每個(gè)相同的電壓。MOSFET的on電阻(Roslon)具有正的溫度系數(shù)，即R
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mos管開關(guān)電路設(shè)計(jì)介紹
2024-07-10
mos管開關(guān)電路設(shè)計(jì)介紹mos管在高頻開關(guān)變換器中，設(shè)計(jì)人員面臨著處理開關(guān)噪聲的共同挑戰(zhàn)。特別是當(dāng)高側(cè)Mosfet打開時(shí)，之前處于導(dǎo)電狀態(tài)的低
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場效應(yīng)管功放電路的組成介紹
2024-07-10
場效應(yīng)管功放電路的組成介紹一款采用場效應(yīng)管做前級放大制作的功率放大器，音響效果很理想。由于該功放的后級電路是一個(gè)直流耦合的電路，各
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場效應(yīng)管及BJT放大電路的比較介紹
2024-07-10
場效應(yīng)管及BJT放大電路的比較介紹場效應(yīng)管放大電路的共源電路、共漏電路、共柵電路分別與三極管放大電路的共射電路、共集電路、共基電路相
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場效應(yīng)管瞬態(tài)熱阻特性介紹
2024-07-10
場效應(yīng)管瞬態(tài)熱阻特性介紹許多操作參數(shù)和功率MOSFET結(jié)溫的影響設(shè)備壽命。估計(jì)設(shè)備接點(diǎn)溫度在一個(gè)電路,或比較場效應(yīng)管目標(biāo)應(yīng)用程序,提供了一
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MOS管,場效應(yīng)管熱阻怎么測量
2024-07-09
MOS管,場效應(yīng)管熱阻怎么測量1、首先，明確兩個(gè)概念：穩(wěn)態(tài)熱阻：兩處測量點(diǎn)溫差△T，單位時(shí)間內(nèi)通過散熱面的能量為Pd，熱阻RΘ=△T Pd
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三端可調(diào)穩(wěn)壓器的檢測方法詳解
2024-07-09
三端可調(diào)穩(wěn)壓器的檢測方法詳解怎么對三端可調(diào)穩(wěn)壓器進(jìn)行安全檢測，常用的方法為電阻測量法和電壓測量法兩種，在實(shí)際檢測中一般采用電壓測量
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功率MOS管的正向截止等效電路及穩(wěn)態(tài)特性詳解
2024-07-09
功率MOS管的正向截止等效電路及穩(wěn)態(tài)特性詳解功率MOSFET的正向截止等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向截止時(shí)可用一電
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功率MOSFET的開通與關(guān)斷過程原理解析
2024-07-09
功率MOSFET的開通與關(guān)斷過程原理解析（1）：開通和關(guān)斷過程實(shí)驗(yàn)電路（2）：MOSFET 的電壓和電流波形：（3）：開關(guān)過程原理：開通過程[ t0