您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問(wèn)
掃一掃訪問(wèn)手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國(guó)服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號(hào)愛華科研樓7層
-
場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)與并聯(lián)判斷方法
2020-11-19
場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)與并聯(lián)判斷方法mos管如何并聯(lián)使用？并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時(shí)尾
-
顯卡MOS管詳解和顯卡MOS管分類與選購(gòu)知識(shí)
2020-11-19
顯卡MOS管詳解和顯卡MOS管分類與選購(gòu)知識(shí)顯卡的MOS管顯卡MOS管，三腳MOS依然是現(xiàn)在顯卡上最常見的，八爪魚MOS是全新的封裝形式，它最大的優(yōu)
-
50n06參數(shù)中文 50N06 50A60V 中文資料介紹
2020-11-19
50n06參數(shù)中文 50N06 50A60V 中文資料介紹一、50N06參數(shù)中文產(chǎn)品特征：RDS(on) =10 5m@ VGS =10V提供無(wú)鉛綠色設(shè)備低Rds開啟，最大限
-
MOS過(guò)壓保護(hù)電路與電池MOS管保護(hù)電路
2020-11-19
MOS過(guò)壓保護(hù)電路與電池MOS管保護(hù)電路MOS管防反接防過(guò)壓電路NMOS管防反接電路如上圖MOS過(guò)壓保護(hù)電路，當(dāng)電源正確接入時(shí)。電流的流向是從Vin
-
MOS場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞與判斷注意事項(xiàng)
2020-11-18
MOS場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞與判斷注意事項(xiàng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管如何判斷好壞（一）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)1．判別電極與管型用萬(wàn)用表R×100檔或R&time
-
場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)和三個(gè)極,G、S、D詳解
2020-11-18
場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)和三個(gè)極,G、S、D詳解1 判斷柵極GMOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段
-
如何降低mosfet導(dǎo)通壓降-降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻原理和方法?
2020-11-18
如何降低mosfet導(dǎo)通壓降-降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻原理和方法MOS管如何把MOS管導(dǎo)通時(shí)電壓降控制在最小如何降低mosfet導(dǎo)通壓降，Rds（on）是MO
-
場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)工作點(diǎn)解析與設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)的要求
2020-11-18
場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)工作點(diǎn)解析與設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)的要求MOS管的靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)工作點(diǎn)，據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)，利用雙極型三極管與場(chǎng)效應(yīng)
-
場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓電路-穩(wěn)壓電源，電路圖解
2020-11-18
場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓電路-穩(wěn)壓電源，電路圖解場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓電路圖（一）場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓電路，圖所示的是采用功率場(chǎng)效應(yīng)管組成的簡(jiǎn)易穩(wěn)壓電源電路。穩(wěn)
-
Mosfet過(guò)流保護(hù)電路工作原理與技術(shù)特征
2020-11-18
Mosfet過(guò)流保護(hù)電路工作原理與技術(shù)特征Mosfet過(guò)流保護(hù)電路對(duì)一個(gè)成功設(shè)計(jì)的來(lái)說(shuō)保護(hù)電路是至關(guān)重要的。我們來(lái)看看如何用運(yùn)放打造一個(gè)過(guò)流保
-
MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題詳情解析
2020-11-18
MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題詳情解析MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分
-
MOS管知識(shí)-mosfet體效應(yīng)(襯偏效應(yīng))詳情解析
2020-11-17
MOS管知識(shí)-mosfet體效應(yīng)(襯偏效應(yīng))詳解mosfet體效應(yīng)(襯偏效應(yīng))詳解關(guān)于MOSFET的體效應(yīng)（body-effect,襯底調(diào)制效應(yīng)／襯偏效應(yīng)），主要是來(lái)源