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    • 發(fā)布時間:2024-12-20 18:35:05
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    MOSFET柵極,源極的下拉電阻作用是什么
    MOSFET柵極 源極 下拉電阻
    米勒電容:在柵極(G)和漏極(D)之間的一個寄生電容。
    當MOSFET關斷時,米勒電容的存在,會使MOS管的Vds產(chǎn)生一個電壓從接近0(飽和壓降)到母線的變化過程,這個電壓變化率就是“dv/dt”,然而電容就是電壓變化發(fā)生作用的器件,電壓在電容兩端變化,即產(chǎn)生電流“i”。
    MOSFET柵極 源極 下拉電阻
    GS之間有一層絕緣體,也就是二氧化硅(SiO2),因此G-S之間就是高阻抗(幾十到幾百兆不等),一旦驅(qū)動異常,它可能會通過米勒電容的電流給G-S充電,小電流高阻抗可能對應著高電壓,柵極電壓被充電,當超過門檻電壓“Vgs(th)”,就會導致MOSFET重新開通,這是十分危險的情況。
    可以看這個反激電源拓撲的MOSFET驅(qū)動,它就是米勒電容電流通過驅(qū)動芯片內(nèi)部下拉低阻回路進行釋放,避免柵極被充高而誤導通。
    MOSFET柵極 源極 下拉電阻
    在這里我們就知道了,驅(qū)動芯片內(nèi)部已經(jīng)存在泄放下拉電阻,但如果驅(qū)動電阻Rg在以外情況下開路或者沒有連接,那么下拉電阻(R8)就可以給米勒電容提供泄放路徑,讓MOS管G-S之間保持低阻抗,穩(wěn)定安全狀態(tài)。這就是下拉電阻的重要作用了。
    MOSFET柵極 源極 下拉電阻
    MOSFET柵極 源極 下拉電阻
    下拉電阻還有另一個作用:預保護電阻
    我們知道MOS管G-S是高阻抗,這也是為什么它是 ESD敏感器件的原因。它的高電壓施加在門極不易泄放,累積過程會損壞G-S極之間那層二氧化硅,導致器件失效。
    因此,下拉電阻還兼顧了功耗和實際泄放效果。一般這個電阻選值在中小功率電源中(0~500W)選擇大概10K-20K,大功率電源選擇4.7K~10K。
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