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  • MOS晶體管漏電流的原因解析
    • 發(fā)布時間:2024-09-09 20:42:33
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    MOS晶體管漏電流的原因解析
    漏電流會導(dǎo)致功耗,尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管中可以找到的六種泄漏電流。
    在討論MOS晶體管時,短通道器件中基本上有六種類型的漏電流元件:
    反向偏置PN結(jié)漏電流
    亞閾值漏電流
    漏極引起的屏障降低
    V千 滾落
    工作溫度的影響
    隧道進入和穿過柵極氧化層泄漏電流
    熱載流子從基板注入柵極氧化物引起的泄漏電流
    柵極感應(yīng)漏極降低 (GIDL) 引起的漏電流
    1. 反向偏置pn結(jié)漏電流
    MOS晶體管中的漏極/源極和基板結(jié)在晶體管工作期間反向偏置。這會導(dǎo)致器件中出現(xiàn)反向偏置漏電流。這種漏電流可能是由于反向偏置區(qū)域中少數(shù)載流子的漂移/擴散以及雪崩效應(yīng)引起的電子-空穴對的產(chǎn)生。pn結(jié)反向偏置漏電流取決于摻雜濃度和結(jié)面積。
    對于漏極/源極和襯底區(qū)域的重摻雜pn結(jié),帶間隧穿(BTBT)效應(yīng)主導(dǎo)反向偏置漏電流。在帶間隧穿中,電子直接從p區(qū)的價帶隧穿到n區(qū)的導(dǎo)帶。BTBT對于大于10的電場可見6 V/厘米。
    MOS晶體管漏電流
    圖 1.
    2.亞閾值漏電流
    當(dāng)柵極電壓小于閾值電壓(V千)但大于零,則稱晶體管偏置在亞閾值或弱反轉(zhuǎn)區(qū)域。在弱反演中,少數(shù)載體的集中度很小,但不為零。在這種情況下,對于 |VDS|>0.1V,整個壓降發(fā)生在漏極-基板pn結(jié)兩端。
    漏極和源極之間的電場分量,平行于Si-SiO2 接口,很小。由于這種可忽略不計的電場,漂移電流可以忽略不計,亞閾值電流主要由擴散電流組成。
    漏極誘導(dǎo)屏障降低 (DIBL)
    亞閾值漏電流主要是由于漏極引起的勢壘降低或DIBL。在短通道器件中,漏極和源極的耗盡區(qū)域相互作用,降低了源極處的潛在屏障。然后,源極能夠?qū)㈦姾奢d流子注入通道表面,從而產(chǎn)生亞閾值漏電流。
    DIBL在高漏極電壓和短通道器件中很明顯。
    V千 滾落
    由于通道長度縮短,MOS器件的閾值電壓降低。這種現(xiàn)象稱為V千滾降(或閾值電壓滾降)。在短通道器件中,漏極和源極耗盡區(qū)域進一步進入通道長度,耗盡一部分通道。
    因此,需要較低的柵極電壓來反相通道,從而降低閾值電壓。對于較高的漏極電壓,這種現(xiàn)象很明顯。閾值電壓的降低會增加亞閾值漏電流,因為亞閾值電流與閾值電壓成反比。
    工作溫度的影響
    溫度在漏電流中也起著一定的作用。閾值電壓隨著溫度的升高而降低。或者,換句話說,亞閾值電流隨著溫度的升高而增加。
    3. 隧道進入和穿過柵極氧化層泄漏電流
    在短通道器件中,薄柵氧化層會導(dǎo)致SiO兩端的高電場2 層。低氧化物厚度和高電場導(dǎo)致電子從基板隧穿到柵極,從柵極隧穿到柵極氧化物從柵極到基板,從而產(chǎn)生柵極氧化物隧穿電流。
    考慮如圖所示的能量帶圖。
    MOS晶體管漏電流
    圖2.
    MOS晶體管的能帶圖
    (一)
    平帶,
    (二)
    正柵極電壓,以及
    (三)
    負柵極電壓
    第一張圖,圖2(a),是一個扁平帶MOS晶體管,即其中沒有電荷。
    當(dāng)柵極端子正偏置時,能量帶圖發(fā)生變化,如圖2(b)所示。強倒置表面隧道中的電子進入或通過SiO的隧道2 產(chǎn)生柵極電流的層。
    另一方面,當(dāng)施加負柵極電壓時,電子從n+多晶硅柵極隧道進入或通過SiO。2 產(chǎn)生柵極電流的層,如圖2(c)所示。
    福勒-諾德海姆隧道和直接隧道
    柵極和基板之間主要有兩種類型的隧道機制。它們是:
    福勒-諾德海姆隧道,其中電子隧道穿過三角形勢壘
    直接隧穿,電子穿過梯形勢壘
    MOS晶體管漏電流
    圖3.
    顯示能量帶圖
    (一)
    福勒-諾德海姆隧道穿過氧化物的三角形勢壘和
    (二)
    通過氧化物的梯形電位勢壘直接隧道
    您可以在上面的圖3(a)和3(b)中看到兩種隧道機制的能量帶圖。
    4. 熱載流子從基板注入柵極氧化物引起的泄漏電流
    在短通道器件中,基底氧化物界面附近的高電場激勵電子或空穴,它們穿過襯底氧化物界面進入氧化層。這種現(xiàn)象被稱為熱載體注入。
    MOS晶體管漏電流
    圖4.
    描述電子由于高電場而獲得足夠能量并越過氧化物勢壘電位(熱載流子注入效應(yīng))的能量帶圖
    這種現(xiàn)象比空穴更容易影響電子。這是因為與空穴相比,電子的有效質(zhì)量和屏障高度較小。
    5. 柵極感應(yīng)漏極降低(GIDL)引起的漏電流
    考慮具有p型襯底的NMOS晶體管。當(dāng)柵極端子處有負電壓時,正電荷僅在氧化物-襯底界面處積聚。由于基板上累積的空穴,表面表現(xiàn)為比基板摻雜更多的p區(qū)。
    這導(dǎo)致沿排水基板界面的表面耗盡區(qū)域更薄(與塊體中耗盡區(qū)域的厚度相比)。
    MOS晶體管漏電流
    圖5.
    (一)
    沿表面在排水-基底界面處形成薄耗盡區(qū)和
    (二)
    由雪崩效應(yīng)和BTBT產(chǎn)生的載流子引起的GIDL電流
    由于稀薄的耗盡區(qū)域和較高的電場,會發(fā)生雪崩效應(yīng)和帶間隧穿(如本文第一部分所述)。因此,柵極下方漏極區(qū)域中的少數(shù)載流子產(chǎn)生,并通過負柵極電壓推入基板。這會增加漏電流。
    6. 穿孔效應(yīng)引起的漏電流
    在短通道器件中,由于漏極和源極靠近,兩個端子的耗盡區(qū)會聚集在一起并最終合并。在這種情況下,據(jù)說發(fā)生了“穿孔”。
    穿通效應(yīng)降低了大多數(shù)載體從源頭上的潛在障礙。這增加了進入基板的載流子數(shù)量。其中一些載流子被漏極收集,其余的則產(chǎn)生漏電流。
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