如下是一個 NMOS 的開關電路，階躍信號 VG1 設置 DC 電平 2V，方波（振幅 2V，頻率 50Hz），T2 的開啟電壓 2V，所以 MOS 管 T2 會以周期 T=20ms 進行開啟和截止狀態(tài)的切換。
首先仿真 Vgs 和 Vds 的波形，會看到 Vgs=2V 的時候有一個小平臺，有人會好奇為什么 Vgs 在上升時會有一個小平臺？
MOS 管 Vgs 小平臺
帶著這個疑問，我們嘗試將電阻 R1 由 5K 改為 1K，再次仿真，發(fā)現(xiàn)這個平臺變得很小，幾乎沒有了，這又是為什么呢？
MOS 管 Vgs 小平臺有改善
為了理解這種現(xiàn)象，需要理論知識的支撐。
MOS 管的等效模型
我們通常看到的 MOS 管圖形是左邊這種，右邊的稱為 MOS 管的等效模型。
其中：Cgs 稱為 GS 寄生電容，Cgd 稱為 GD 寄生電容，輸入電容 Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容 Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容 Crss=Cgd，也叫米勒電容。
如果你不了解 MOS 管輸入輸出電容概念，請點擊：帶你讀懂 MOS 管參數(shù)「熱阻、輸入輸出電容及開關時間」
米勒效應的罪魁禍首就是米勒電容，米勒效應指其輸入輸出之間的分布電容 Cgd 在反相放大的作用下，使得等效輸入電容值放大的效應，米勒效應會形成米勒平臺。
首先我們需要知道的一個點是：因為 MOS 管制造工藝，必定產生 Cgd，也就是米勒電容必定存在，所以米勒效應不可避免。
那米勒效應的缺點是什么呢？
MOS 管的開啟是一個從無到有的過程，MOS 管 D 極和 S 極重疊時間越長，MOS 管的導通損耗越大。因為有了米勒電容，有了米勒平臺，MOS 管的開啟時間變長，MOS 管的導通損耗必定會增大。
仿真時我們將 G 極電阻 R1 變小之后，發(fā)現(xiàn)米勒平臺有改善？原因我們應該都知道了。
MOS 管的開啟可以看做是輸入電壓通過柵極電阻 R1 對寄生電容 Cgs 的充電過程，R1 越小，Cgs 充電越快，MOS 管開啟就越快，這是減小柵極電阻，米勒平臺有改善的原因。
那在米勒平臺究竟發(fā)生了一些什么？
以 NMOS 管來說，在 MOS 管開啟之前，D 極電壓是大于 G 極電壓的，隨著輸入電壓的增大，Vgs 在增大，Cgd 存儲的電荷同時需要和輸入電壓進行中和，因為 MOS 管完全導通時，G 極電壓是大于 D 極電壓的。
所以在米勒平臺，是 Cgd 充電的過程，這時候 Vgs 變化則很小，當 Cgd 和 Cgs 處在同等水平時，Vgs 才開始繼續(xù)上升。
我們以下右圖來分析米勒效應，這個電路圖是一個什么情況？
MOS 管 D 極負載是電感加續(xù)流二極管，工作模式和 DC-DC BUCK 一樣，MOS 管導通時，VDD 對電感 L 進行充電，因為 MOS 管導通時間極短，可以近似電感為一個恒流源，在 MOS 管關閉時，續(xù)流二極管給電感 L 提供一個泄放路徑，形成續(xù)流。
MOS 管的開啟可以分為 4 個階段。
t0~t1 階段
從 t0 開始，G 極給電容 Cgs 充電，Vgs 從 0V 上升到 Vgs（th）時，MOS 管都處于截止狀態(tài)，Vds 保持不變，Id 為零。
t1~t2 階段
從 t1 后，Vgs 大于 MOS 管開啟電壓 Vgs（th），MOS 管開始導通，Id 電流上升，此時的等效電路圖如下所示，在 IDS 電流沒有達到電感電流時，一部分電流會流過二極管，二極管 DF 仍是導通狀態(tài)，二極管的兩端處于一個鉗位狀態(tài)，這個時候 Vds 電壓幾乎不變，只有一個很小的下降（雜散電感的影響）。
t1~t2 階段等效電路
t2~t3 階段
隨著 Vgs 電壓的上升，IDS 電流和電感電流一樣時，MOS 管 D 極電壓不再被二極管 DF 鉗位，DF 處于反向截止狀態(tài)，所以 Vds 開始下降，這時候 G 極的驅動電流轉移給 Cgd 充電，Vgs 出現(xiàn)了米勒平臺，Vgs 電壓維持不變，Vds 逐漸下降至導通壓降 VF。
t2~t3 階段等效電路
t3~t4 階段
當米勒電容 Cgd 充滿電時，Vgs 電壓繼續(xù)上升，直至 MOS 管完全導通。
結合 MOS 管輸出曲線，總結一下 MOS 管的導通過程
t0~t1，MOS 管處于截止區(qū)；t1 后，Vgs 超過 MOS 管開啟電壓，隨著 Vgs 的增大，ID 增大，當 ID 上升到和電感電流一樣時，續(xù)流二極管反向截止，t2~t3 時間段，Vgs 進入米勒平臺期，這個時候 D 極電壓不再被續(xù)流二極管鉗位，MOS 的夾斷區(qū)變小，t3 后進入線性電阻區(qū)，Vgs 則繼續(xù)上升，Vds 逐漸減小，直至 MOS 管完全導通。
MOS 管輸出曲線
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