NMOS與PMOS
在NMOS器件中，通過(guò)使柵極電壓高于源極電壓來(lái)使導(dǎo)通FET接通。通常，源極電壓與VIN端子處于相同電勢(shì)。要使柵極和源極間產(chǎn)生上述電壓差，需要一個(gè)電荷泵。使用電荷泵將增大器件的靜態(tài)電流。
在PMOS器件中，通過(guò)使柵極電壓低于源極電壓來(lái)使導(dǎo)通FET接通。PMOS器件的架構(gòu)無(wú)需電荷泵，因此其靜態(tài)電流比NMOS器件的靜態(tài)電流低。基于PMOS的架構(gòu)與基于NMOS的架構(gòu)的一個(gè)主要差別是，基于PMOS的負(fù)載開關(guān)在低電壓下性能欠佳，因?yàn)榈蛪合耉GS低，導(dǎo)通電阻RDSON大。而NMOS器件在低輸入電壓應(yīng)用中性能良好。
導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RON)
導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RON)是一個(gè)極為重要的參數(shù)，因?yàn)樗鼪Q定了負(fù)載開關(guān)的壓降和功耗。RON越大，負(fù)載開關(guān)的壓降越大，功耗越高。
其中，
?Vmax=VIN到VOUT的最大壓降
ILOAD=負(fù)載電流
RON,max=給定VIN對(duì)應(yīng)的器件最大導(dǎo)通電阻
IQ=負(fù)載開關(guān)的靜態(tài)電流
電壓(VIN)和電流(IMAX)額定值
決定使用哪種負(fù)載開關(guān)時(shí)的重要考慮因素之一是應(yīng)用所需的電壓和電流。負(fù)載開關(guān)必須能夠支持穩(wěn)態(tài)工作期間所需的直流電壓和電流，以及瞬變電壓和峰值電流。需要注意的是，一些負(fù)載開關(guān)需要偏置電壓來(lái)開啟器件和偏置內(nèi)部電路。此偏置電壓與輸入電壓無(wú)關(guān)。
關(guān)斷電流(ISD)和靜態(tài)電流(IQ)
靜態(tài)電流是負(fù)載開關(guān)接通時(shí)消耗的電流。除I2R損耗外，靜態(tài)電流還將決定負(fù)載開關(guān)接通時(shí)的功耗量。如果負(fù)載電流足夠大，則靜態(tài)電流引起的功耗可忽略不計(jì)。
關(guān)斷電流決定了負(fù)載開關(guān)通過(guò)ON引腳被禁用時(shí)的功耗量。使用負(fù)載開關(guān)切斷子系統(tǒng)電源可顯著降低電源軌的待機(jī)功耗。
上升時(shí)間(tR)
上升時(shí)間因器件而異。上升時(shí)間可能需要較短，也可能較長(zhǎng)，具體取決于應(yīng)用。此外，浪涌電流與上升時(shí)間成反比。了解系統(tǒng)所能接受的浪涌電流是十分有益的。
其中
INRUSH=CL產(chǎn)生的浪涌電流的大小CL=VOUT上的總電容dVOUT=啟用器件時(shí)VOUT的電壓變化dt=VOUT電壓變化dVOUT所用的時(shí)間
快速輸出放電(QOD)
一些負(fù)載開關(guān)具有內(nèi)部電阻，該電阻會(huì)在開關(guān)關(guān)斷時(shí)將輸出拉至地，以避免輸出浮空。要使快速輸出放電功能起作用，輸入電壓引腳上的電壓需處于工作范圍內(nèi)。
快速輸出放電功能有諸多好處，例如：
輸出不會(huì)浮空并且始終處于已確定狀態(tài)。
下游模塊始終完全關(guān)閉。
不過(guò)，仍有應(yīng)用無(wú)法從快速輸出放電功能中受益。
如果負(fù)載開關(guān)的輸出與電池相連，則通過(guò)ON引腳禁用負(fù)載開關(guān)時(shí)，快速輸出放電會(huì)導(dǎo)致電池電量耗盡。
如果兩個(gè)負(fù)載開關(guān)用作雙輸入單輸出多路復(fù)用器（其中，二者輸出連在一起），則負(fù)載開關(guān)無(wú)法提供快速輸出放電功能。否則，快速輸出放電期間將持續(xù)浪費(fèi)電能，因?yàn)橹灰ㄟ^(guò)ON引腳禁用負(fù)載開關(guān)，電流就會(huì)通過(guò)內(nèi)部電阻流向地。
封裝尺寸
集成負(fù)載開關(guān)提供各種不同的形狀和尺寸。確保應(yīng)用能夠接受負(fù)載開關(guān)是十分重要的。在空間受限的系統(tǒng)中，可能需要選擇較小的封裝尺寸。例如，可能不需要使用0.4mm間距的器件，所以選擇部件時(shí)不應(yīng)考慮0.4mm間距的器件。因此，選擇器件時(shí)應(yīng)考慮封裝尺寸。
輸入和輸出電容
在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，應(yīng)放置輸入電容，以限制由流入已放電的負(fù)載電容的瞬變浪涌電流所導(dǎo)致的輸入電源壓降。強(qiáng)烈建議在VIN和GND之間靠近VIN端子的位置放置1μF電容(CIN)。較大的電容將降低大電流應(yīng)用期間的壓降。盡管強(qiáng)烈推薦，但這并非負(fù)載開關(guān)工作所必需。
移除電源時(shí)，VOUT和GND之間的總輸出電容(CL)可能會(huì)使VOUT上的電壓超過(guò)VIN上的電壓，對(duì)于不具備反向電路保護(hù)功能的器件，這可能導(dǎo)致電流從VOUT經(jīng)導(dǎo)通FET中的體二極管流向VIN。為防止出現(xiàn)這種情況，建議（但不要求）輸入電容和負(fù)載電容保持10:1的比值。
散熱注意事項(xiàng)
最大IC結(jié)溫應(yīng)限制為絕對(duì)最大值表中指示的正常工作條件下的最大結(jié)溫。要計(jì)算在給定的輸出電流和環(huán)境溫度下的最大允許功耗PD(max)，請(qǐng)使用公式：
其中：PD(max)=最大允許功耗TJ(max)=最大允許結(jié)溫TA=器件的環(huán)境溫度θJA=結(jié)點(diǎn)到空氣熱阻此參數(shù)很大程度上取決于電路板布局。
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