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  • MOSFET的寄生電容,靜電容量解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-06-20 21:53:10
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    MOSFET的寄生電容,靜電容量解析
    MOSFET的靜電容量
    在構(gòu)造上,功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣,在DS(漏極、源極)間形成PN接合,成為內(nèi)置二極管構(gòu)造。
    其中,Cgs、Cgd的容量根據(jù)氧化膜的靜電容量決定,Cds根據(jù)內(nèi)置二極管的接合容量決定。
    MOSFET 寄生 靜電
    一般而言,寄生電容與漏極、源極間電壓VDS存在一定關(guān)系,VDS增加,則寄生容量值減小。在廠家發(fā)布的MOSFET規(guī)格書上,一般都提供Ciss/Coss/Crss三類容量特性:
    MOSFET 寄生 靜電
    容量特性如圖2所示,對(duì)DS (漏極、源極) 間電壓VDS存在依賴性。VDS大則容量值小。
    圖2: 容量 - VDS 依存性
    MOSFET 寄生 靜電
    溫度特性
    實(shí)測例見圖(1) ~ (3)所示
    關(guān)于容量特性的溫度依存性幾乎沒有差異。
    圖3: 容量溫度特性
    MOSFET 寄生 靜電
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