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  • MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線,輸出特性曲線介紹
    • 發(fā)布時間:2023-05-31 20:56:16
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    MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線,輸出特性曲線介紹
    以某型號器件為例,通過分析其曲線,來分析MOS管的工作特性。
    一、轉(zhuǎn)移特性曲線(VGS-ID曲線)
    MOS管 特性曲線
    說明的是柵極電壓VGS對ID的控制作用。
    從上圖曲線可得到:
    1、測試條件:VDS=20V;
    2、VGS的開啟電壓VGS(th),約5V,且隨著溫度的升高而降低;
    3、VGS需要達到10V以上,才能完全導(dǎo)通,達到其最大標(biāo)稱ID;
    4、VGS越大,ID才能越大,溫度越高,ID越小;
    二、輸出特性曲線(VDS-ID曲線)
    MOS管 特性曲線
    上圖可被分為四部分:
    1、夾斷區(qū)(截止區(qū))
    此區(qū)域內(nèi),VGS未達到VGS(th),MOS管不導(dǎo)通,即ID基本為零;
    2、可變電阻區(qū)
    此區(qū)域內(nèi),ID-VDS基本維持線性比例關(guān)系,斜率即為MOSFET的導(dǎo)通電子Rds(on)。
    3、飽和區(qū)
    此區(qū)域內(nèi),ID不再隨著VDS的增大而增大。說明ID已經(jīng)飽和了。
    4、擊穿區(qū)
    此區(qū)域內(nèi),因VDS過大,MOSFET被擊穿損壞。
    當(dāng)MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)時,隨著VGS的通/斷,MOSFET是在截止區(qū)和可變電阻區(qū)來回切換的,在切換過程中可能會經(jīng)過飽和區(qū)。
    當(dāng)MOSFET工作于飽和區(qū)時,可以用來通過控制VGS的電壓來控制電流ID,將MOSFET用于實現(xiàn)上電軟起動電路。
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