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  • MOS管導通電壓的詳細解析
    • 發布時間:2023-03-10 18:22:19
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    MOS管導通電壓的詳細解析
    分析MOS管的開啟電壓對管子導通狀態的影響。
    準備工具: 電路仿真軟件LTspice,NMOS模型電路,NMOS數據手冊等
    進行試驗:步驟1、先搭建一個簡單的NMOS開關仿真電路,如圖:
    MOS管 導通 電壓
    MOS的開啟電壓,如下圖,
    MOS管 導通 電壓
    從圖中可以看到MOS管的開啟電壓在1v~2.2v之間,所以我們將VGS驅動電壓設置在2.5v,然后改變電阻R1的阻值,觀察VDS的電壓變化。
    步驟3、設置好參數后,我們開始仿真,仿真結果如圖下;
    MOS管 導通 電壓
    從圖中我們可以看到電阻R1的變化帶來VDS的壓降變化,0.4v到10v,也就是從接近完全導通到完全截止。
    步驟4、接下來我們將驅動電壓VGS設置為2.8v,在來仿真一下,結果如圖下;
    MOS管 導通 電壓
    這次我們可以看到只有兩根線了,并且VDS的壓降最低為0v,也就是說管子在VGS=2.8V的時候,漏極電阻調到合適的值,管子是可以完全導通的。
    步驟5、我們把VGS的值改為3V,再來仿真看結果
    MOS管 導通 電壓
    這次我們可以看到管子VDS的壓降也就完全到mv級別了。
    從上面這幾個仿真可以發現,1、NMOS的漏級電壓vds由驅動電壓VGS和漏極電阻R1決定;2、VGS越大越有利于管子的導通;3、MOS管的驅動電壓要大于規格書的最大開啟電壓(最小1v),才能讓管子完全導通。
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