場效應管是根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，功率MOSFET場效應管具有負的電流溫度系 數(shù)，可以避免它工作的熱不穩(wěn)定性和二次擊穿，適合于大功率和大電流工作條件下的應用。功率MOSFET場效應管從驅(qū)動模式上看，屬于電壓型驅(qū)動控制元件， 驅(qū)動電路的設計比較簡單，所需驅(qū)動功率很小。采用功率MOSFET場效應作為開關電源中的功率開關，在啟動或穩(wěn)態(tài)工作條件下，功率MOSFET場效應管的峰值電流要比采用雙極型功率晶體管小得多。功率場效應管與雙極型功率晶體管之間的特性比較如下：
1. 驅(qū)動方式：場效應管是電壓驅(qū)動，電路設計比較簡單，驅(qū)動功率小；功率晶體管是電流驅(qū)動，設計較復雜，驅(qū)動條件選擇困難，驅(qū)動條件會影響開關速度。
2. 開關速度：場效應管無少數(shù)載流子存儲效應，溫度影響小，開關工作頻率可達150KHz以上；功率晶體管有少數(shù)載流子存儲時間限制其開關速度，工作頻率一般不超過50KHz。
3. 安全工作區(qū)：功率場效應管無二次擊穿，安全工作區(qū)寬；功率晶體管存在二次擊穿現(xiàn)象，限制了安全工作區(qū)。
4. 導體電壓：功率場效應管屬于高電壓型，導通電壓較高，有正溫度系數(shù)；功率晶體管無論耐電壓的高低，導體電壓均較低，具有負溫度系數(shù)。
5. 峰值電流：功率場效應管在開關電源中用做開關時，在啟動和穩(wěn)態(tài)工作時，峰值電流較低；而功率晶體管在啟動和穩(wěn)態(tài)工作時，峰值電流較高。
6. 產(chǎn)品成本：功率場效應管的成本略高；功率晶體管的成本稍低。
7. 熱擊穿效應：功率場效應管無熱擊穿效應；功率晶體管有熱擊穿效應。
8. 開關損耗：場效應管的開關損耗很小；功率晶體管的開關損耗比較大。
另外，功率MOSFET場效應管大多集成有阻尼二極管，而雙極型功率晶體管大多沒有集成阻尼二極管。場效應管內(nèi)的阻尼二極管可以為開關電源感性線圈提供無功電流通路。所以，當場效應管的源極電位高于漏極時，這個阻尼二極管導通，但在開關電源中不能使用這個阻尼二極管，需要另外并聯(lián)超快速二極管。場效應管內(nèi)的阻尼二極管在關斷過程中與一般二極管一樣存在反向恢復電流。此時二極管一方面承受著漏-源極之間急劇上升的電壓，另一方面又有反向恢復電流流過。
雙極型功率晶體管在應用中對電路性能具有決定性的影響，功率場效應管的主要缺點就是導通電阻較大，而且具有正溫度系數(shù)，故當功率場效應管工作于大電流開關 工作狀態(tài)時，導通損耗較大。功率場效應管的柵-源極之間的開啟門限電壓較高，一般為2~4V,用做開關電源中的功率開關時，為保證有足夠幅度的激勵電壓， 要求驅(qū)動變壓器的繞組匝數(shù)比采用雙極型晶體管變壓器的繞組匝數(shù)要多一倍乃至數(shù)倍。
功率場效應管與雙極型功率晶體管相比具有以下特點：
1. 功率MOSFET場效應管是電壓型控制器件，而雙極型晶體管是電流型控制器件，因此功率MOSFET場效應管在驅(qū)動輸出大電流時驅(qū)動電路較簡單。
2. 功率MOSFET場效應管的輸入阻抗高，可以達到100000000歐姆以上。
3. 功率MOSFET場效應管的工作頻率范圍寬，開關速度快，開關損耗小。
4. 功率MOSFET場效應管可以多個并聯(lián)使用，以增加輸出電流而無須加均流電阻。
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