場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱(chēng)為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。
它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理解析
在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很薄），形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極，在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩P區(qū)連起來(lái)，就構(gòu)成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。如圖所示：
N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)
將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極（g），在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極，分別稱(chēng)為源極（s）和漏極（d），很薄的N區(qū)稱(chēng)為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器
共漏極放大電路也具有電壓放大倍數(shù)小于1，但接近1；輸出電壓與輸入電壓同相；輸入電阻高，輸出電阻低的特點(diǎn)。
什么是漏極
將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極，在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極，分別稱(chēng)為源極和漏極，很薄的N區(qū)稱(chēng)為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器。柵極簡(jiǎn)稱(chēng)為G，源極簡(jiǎn)稱(chēng)為S，漏極簡(jiǎn)稱(chēng)為D。
開(kāi)漏形式電路的特點(diǎn)
1.利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力，減少I(mǎi)C內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)，?或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載。
2.可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin，連接到一條線上。通過(guò)一只上拉電阻，在不增加任何器件的情況下，形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。
3.由于漏級(jí)開(kāi)路，所以后級(jí)電路必須接一上拉電阻，上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進(jìn)行任意電平的轉(zhuǎn)換了。
4.源極開(kāi)路提供了靈活的輸出方式，但是也有其弱點(diǎn)，就是帶來(lái)上升沿的延時(shí)。因?yàn)樯仙厥峭ㄟ^(guò)外接上拉無(wú)源電阻對(duì)負(fù)載充電，所以當(dāng)電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小，但功耗大；反之延時(shí)大功耗小。所以如果對(duì)延時(shí)有要求，則建議用下降沿輸出。
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