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  • 導通電阻Rds(ON)低至0.67歐姆的MOSFET資料
    • 發布時間:2020-04-30 15:03:19
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    導通電阻Rds(ON)低至0.67歐姆的MOSFET資料
    導通電阻Rds(ON)是場效應管(MOSFET)的一項重要參數,是工作時MOSFET漏極D和源極S之間的電阻值,單位是歐姆。對于同類MOSFET器件,Rds(ON)數值越小,工作時的損耗(功率損耗)就越小,所以實際應用中要求Rds(ON)越小越好。
    由于能源日趨緊張,越來越多的均需要超低Rds(ON),例如ORing、熱插拔操作、同步整流、電機控制與蓄電池保護等,以便降低I2R損耗并提高效率。然而,具備類似Rds(ON)的一些同類器件,由于在縮小晶圓單元間隔的同時,其SOA(評估MOSFET耐受性的性能)和最大ID額定電流將會被降額或折中。
    MOSFET
    導通電阻Rds(ON)原理
    推出了型號為PSMNR58-30YLH的業界超低導通電阻MOSFET,其最大Rds(ON)僅僅0.67歐姆,最大額定漏極電流可達380A。該參數對電機控制應用尤為重要,因為電機堵轉的瞬間會產生超大電涌,MOSFET必須承受這些電涌,才能確保安全可靠運行。
    MOSFET
    雖然目前也有廠商宣稱提供類似器件,但是他們的最大ID電流是計算出的,不是測試數據。Nexperia的半導體產品實測持續電流能力高達380安培,并且100%最終生產測試的持續電流值高達190安培。
    一般來說,降低Rds(ON)要通過增大封裝尺寸來實現。值得注意的是,PSMNR58-30YLH采用采用獨特的銅夾結構,兩種封裝形式LFPAK56(Power-SO8)、LFPAK33(Power33)均能吸收熱應力,提升質量和可靠性,而且4引腳LFPAK56封裝的安裝尺寸僅30平方毫米,管腳間距1.27毫米。
    目標應用上,PSMNR58-30YLH MOSFET憑借低Rds(ON)、高額定ID,以及毫不折中的SOA等級、質量和可靠性,能充分滿足汽車、充電樁、光伏發電、風力發電等苛刻環境需求,是無刷直流(BLDC)電機控制(全橋式三相拓撲),ORing服務器電源、熱插拔操作和同步整流,蓄電池保護,以及手機快速充電和直流負荷開關應用設計的理想選擇。
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