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MOS管半導(dǎo)體的函數(shù)差-半導(dǎo)體的函數(shù)是怎么定義的
  • 發(fā)布時(shí)間:2020-03-11 15:38:03
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MOS管半導(dǎo)體的函數(shù)差-半導(dǎo)體的函數(shù)是怎么定義的
SiOz-SiMoS二極管
對(duì)所有的MOS二極管而言,金屬—Si02 -Si為最受廣泛研究.Si0—Si系統(tǒng)的電特性近似于理想的MOS二極管,然而,對(duì)于廣泛使用的金屬電極而言,其功函數(shù)差qm。一般不為零,而且在氧化層內(nèi)部或SQ-Si界面處存在的不同電荷,將以各種方式影響理想MOS的特性。
一、功函數(shù)差
半導(dǎo)體的功函數(shù)坤;為費(fèi)米能級(jí)至真空之間的能量差(圖6,2),隨摻雜濃度而有所變化,對(duì)于一有固定功函數(shù)qm的特定金屬而言,我們預(yù)期其功函數(shù)差為qms-q(m一s),因此將會(huì)隨著半導(dǎo)體的摻雜濃度而改變.鋁為最常用的金屬之一,其qm=4.leV.另一種廣泛使用的材料為高摻雜的多晶硅n-與p+多晶硅的功函數(shù)分別為4. 05eV與5.05 eV.圖6.8表示在濃度變化下,鋁、n+多晶硅、p+多晶硅等與硅間的功函數(shù)差,值得注意的是,隨著電極材料與硅襯底摻雜濃度的不同,ms可能會(huì)有超過2V的變化。
MOS管半導(dǎo)體的函數(shù)差
欲建構(gòu)MOS二極管的能帶圖,我們由夾在獨(dú)立金屬與獨(dú)立半導(dǎo)體間的氧化層夾心結(jié)構(gòu)開始[圖6.9(a)].在此獨(dú)立的狀態(tài)下,所有的能帶均保持水平,此為平帶狀況.在熱平衡狀態(tài)下,費(fèi)米能級(jí)必為定值,且真空能級(jí)必為連續(xù),為調(diào)節(jié)功函數(shù)差,半導(dǎo)體能帶需向下彎曲,如圖6.9(b)所示.因此在熱平衡狀態(tài)下,金屬含正電荷,而半導(dǎo)體表面則為負(fù)電荷.為達(dá)到如圖6.2中的理想平帶狀況,需外加一相當(dāng)于功函數(shù)差qms電壓,此對(duì)應(yīng)至圖6.9(a)的狀況,在此需在金屬外加一負(fù)電壓VFB(VFB=ms),而此電壓稱為平帶電壓.
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